所有单模光纤系列的标准中，均删除了跳线截止波长的相关内容。

1.1.4itu-tg.657

2009版的itu-tg.657较上一版本变化较大，主要表现在对光纤分类上，由最早的g.657a和g.657b改为了g.657a1、a2、b2、b34个子类。

2010年6月，itu还发布了g.657建议书的增补文件，对资料性附录一：“小弯曲半径条件下光纤的寿命预测”进行了修订。

另外，在2011年2月最近一次的itu-t会议上，对g.657建议书的进一步发展进行了广泛的讨论。其中形成一致意见的是：在下一版本的itu-tg.657建议书中，将b2和b3类光纤的mfd范围变为与a1和a2一致，即删除下限为6.3μm的小模场光纤类型。其主要原因在于小模场的g.657光纤在实际应用中与g.652光纤的接续损耗较大，且现在市场上各厂商的主流产品均为模场直径与g.652光纤接近，而非小模场的光纤。此意见将在下一版本的修订中继续进行讨论，现阶段官方发布的正式建议书中仍维持了原分类原则。

1.1itu-t光纤技术标准进展

1.1.1itu-tg.650.1

itu-tg.650.1于2010年进行了修订，其中主要的更新为以下几点。

a)itu-tg.650.1-2009第5.3节，删除了跳线截止波长的测试方法。由于实际意义较小，ADSS光缆单模光纤规范中均删除了跳线截止波长的定义和指标要求。

b)itu-tg.650.1-2009第5.3.1.3节，截止波长的测试步骤，对打圈参考法和多模参考法的使用进一步给予了详细解释。对于打圈参考法，所打圈的半径应该在测试之前予以确定。圈的半径应足够小，以滤除次高阶模式，却不应太小，以至于引起长波长处的宏弯损耗。对于g.652~g.656光纤来说，典型的打圈半径为10~30mm，但对于某些g.657光纤，圈的半径可能要求更小。对于一些g.657光纤，由于其优异的抗弯曲特性，使用打圈参考法测试截止波长可能并不适合，这种情况下，推荐使用多模参考法进行测试。

c)itu-tg.650.1-2009第5.6节，增加了宏弯损耗的测试方法。

1.1.2itu-tg.650.3

itu-tg.650.3于2011年以增补文件的形式新增了资料性附录三：“在已安装的链路上区分宏弯点和熔接点的方法”，其主要原理是依据测试2个波长处的双向otdr曲线，对于某一个损耗事件点，根据2个波长处实测损耗值，计算宏弯因子，再通过宏弯因子判断该处是否为异常宏弯点。由于g.657光纤的弯曲损耗一般很小，建议书中注明了此方法一般只适用于g.652光纤。同时，在不清楚链路中使用的光纤类型时，此方法也不适用。

1.1.3itu-tg.652~g.656

g.652~g.656系列标准均在2009—2010年进行了更新，但实际的技术指标并没有大的变化。


返回首页